SEMITEP E2 SK50DGD12T7ETE2 Semikron Danfoss

Este potente componente de la plataforma SEMITOP E2 está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en sistemas de potencia. Este IGBT modulizado ofrece una combinación óptima de rendimiento, eficiencia y compactitud, ideal para soluciones industriales y de energía.

Características técnicas

• Nominal current: 50 A
• Tecnología: Generación 7
• Topología: Trench IGBT4
• Tensión: 1200 V
• Paquete: E2
• Tipo de contacto: Presión
• Resistencia térmica: Rth(j-s) reducida debido al contacto directo cerámico-radiator
• Diseño compacto: 12 mm de altura del módulo para aplicaciones con restricciones de espacio

Vantagens

• Optimização do espaço com um perfil extremamente baixo
• Redução significativa da inductância parasitária
• Maior eficiência térmica graças à eliminação do baseplate
• Implementação de topologias complexas em um pacote compacto
• Compatibilidade com tecnologias avançadas como SiC e Trench 5
• Resistência a ciclos térmicos severos

Aplicações ou usos recomendados

• Refrigeração de alta potência
• Conversão de energia solar
• Aplicações de energia renovável
• Primeiros planos industriais e de automóveis
• Construção de inversores de frequência

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