SEMITECNOLOGIE E2 SK50DGD12T7ETE2 Semikron Danfoss

Ce composant puissant de la plateforme SEMITECNOLOGIE E2 est conçu pour des applications de haute performance dans les systèmes de puissance. Ce IGBT modulé offre une combinaison optimale de performance, efficacité et compactitude, idéale pour des solutions industrielles et d'énergie.

Caractéristiques techniques

• Courant nominal : 50 A
• Technologie : Génération 7
• Topologie : IGBT4 en trench
• Tension : 1200 V
• Emballage : E2
• Type de contact : Press-fit
• Résistance thermique : Rth(j-s) réduite en raison du contact direct céramique-radiateur
• Désign compact : 12 mm de hauteur du module pour des applications contraintes par l'espace

Avantages

• Optimisation de l'espace avec un profil extrêmement bas
• Réduction significative de l'inductance parasitaire
• Efficacité thermique accrue grâce à l'élimination du baseplate
• Implémentation de topologies complexes dans un emballage compact
• Résistance aux cycles thermiques sévères

Applications ou usages recommandés

• Refroidissement de haute puissance
• Conversion de l'énergie solaire
• Applications d'énergie renouvelable
• Plans de production industriels et de l'automobile
• Construction de convertisseurs de fréquence

Pour obtenir plus d'informations sur cette solution technologique ou pour acquérir le produit, visitez notre page web ou contactez notre équipe. Nos experts seront ravis de vous conseiller sur la façon d'intégrer cette technologie dans vos projets.