Diode 600A 1700V Infineon DZ800S17K3
- Code / Muster: DZ800S17K3
- Hersteller: INFINEON
- Abteilung: Halbleiter
- Kategorie: Diskreter Halbleiter
- Unterkategorie: IGBT
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Infineon DZ800S17K3
Der DZ800S17K3 von Infineon ist ein robuster IGBT-Modul, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Gleichstromkapazität von 800 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1700 V bietet dieses Modul außergewöhnliche Leistung in anspruchsvollen industriellen Umgebungen.
Technische Daten
- Kollektor-Emitter-Spannung: 1700 V
- Gleichstromkollektor: 800 A
- Konfiguration: Einzelnes IGBT mit integriertem Dioden
- Gehäuse: SEMITRANS 3 (Chassismontage)
- Betriebstemperatur: -40 °C bis +150 °C (Tj)
- Schaltfrequenz: Bis zu 5-10 kHz
- NTC-Thermistor: Inklusive (siehe Herstellerplakette)
Vorteile
- Hohe Strom- und Spannungskapazität für Hochleistungsanwendungen.
- Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle industrielle Umgebungen.
- Geringe Schaltverluste durch niedrige VCE(sat).
- SEMITRANS 3 Gehäuse für einfache und integrierte Chassismontage.
Anwendungen
Der DZ800S17K3 ist ideal für Anwendungen wie:
- Industrielle Hochspannungs-Leistungswandler.
- Antriebssysteme und Lokomotiven der Eisenbahn.
- Controller für Hochleistungsmotoren.
- Energieumwandlungsanwendungen mit extrem hoher Spannung und Stromstärke.
Weitere Informationen zum DZ800S17K3 oder um ein Angebot anzufordern, besuchen Sie adjditec.com.