Diode 600A 1700V Infineon DZ800S17K3

Diode 600A 1700V Infineon DZ800S17K3

Infineon DZ800S17K3

Der DZ800S17K3 von Infineon ist ein robuster IGBT-Modul, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Gleichstromkapazität von 800 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1700 V bietet dieses Modul außergewöhnliche Leistung in anspruchsvollen industriellen Umgebungen.

Technische Daten

  • Kollektor-Emitter-Spannung: 1700 V
  • Gleichstromkollektor: 800 A
  • Konfiguration: Einzelnes IGBT mit integriertem Dioden
  • Gehäuse: SEMITRANS 3 (Chassismontage)
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +150 °C (Tj)
  • Schaltfrequenz: Bis zu 5-10 kHz
  • NTC-Thermistor: Inklusive (siehe Herstellerplakette)

Vorteile

  • Hohe Strom- und Spannungskapazität für Hochleistungsanwendungen.
  • Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle industrielle Umgebungen.
  • Geringe Schaltverluste durch niedrige VCE(sat).
  • SEMITRANS 3 Gehäuse für einfache und integrierte Chassismontage.

Anwendungen

Der DZ800S17K3 ist ideal für Anwendungen wie:

  • Industrielle Hochspannungs-Leistungswandler.
  • Antriebssysteme und Lokomotiven der Eisenbahn.
  • Controller für Hochleistungsmotoren.
  • Energieumwandlungsanwendungen mit extrem hoher Spannung und Stromstärke.

Weitere Informationen zum DZ800S17K3 oder um ein Angebot anzufordern, besuchen Sie adjditec.com.


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