CM150DY-24A
- Code / Muster:
- Hersteller: Mitsubishi Electric
- Abteilung: Halbleiter
- Kategorie: Diskreter Halbleiter
- Unterkategorie: IGBT
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Potentes IGBT-Modul CM150DY-24A: Leistung und Zuverlässigkeit für Ihre Anwendungen
Das IGBT-Modul CM150DY-24A ist eine leistungsstarke Lösung, die für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, die Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern. Mit einer maximalen Verlustleistung von 960 W, einem Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einer Gleichstromstärke von 150 A bietet dieses Modul außergewöhnliche Leistung in Systemen wie Motorcontrollern, Wechselrichtern und mehr.
Technische Eigenschaften
- Transistor-Typ: IGBT + Diode
- Transistor-Polarität: N
- Maximaler Verlust: 960 W
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 1200 V
- Gate-Emitter-Spannung (Vge): 20 V
- Gleichstromkollektor bei 25℃ (Ic): 150 A
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat): 2,1 V @25℃
- Maximale Gate-Schwellenspannung (VGEth): 8 V
- Maximale Junctionstemperatur (Tj): 150 ℃
- Anstiegszeit (tr): 100 ns
- Ausgangs-Kapazität (COSS): 2000 pF
- Gesamte Gate-Ladung (Qg): 675 nC
- Gehäuse / Abdeckung: MODULE
Vorteile
- Hohe Leistung: Ideal für Anwendungen, die eine hohe Verlustleistung erfordern.
- Zuverlässigkeit: Robuster und langlebiger Aufbau für einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.
- Effizienz: Geringe Energieverluste für optimale Leistung.
- Einfache Integration: Kompatibel mit einer breiten Palette von Steuerungssystemen.
Anwendungen
- Wechselrichter
- Servosteuerungen
- Industrielle Stromversorgungssysteme
- Weitere Anwendungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern.
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