IRF7910TRPBF Infineon

Este es un MOSFET de canal N dual 10 A 12 V HEXFET SOIC de 8 pines fabricado por Infineon. El número de pieza del fabricante es IRF7910TRPBF. Mientras que 10 a de corriente de drenaje continua máxima. El transistor está fabricado con material de silicio altamente duradero. Además, el producto tiene 4 mm de ancho. El producto ofrece una configuración de transistor aislado. Tiene un voltaje máximo de fuente de drenaje de 12 V. El producto transporta 2v de voltaje máximo de umbral de puerta. El paquete es una especie de soic. Consta de 2 elementos por chip. Mientras que su voltaje mínimo de umbral de puerta incluye 0.6v. Tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +150 °c. Con una carga de compuerta típica en Vgs incluye 17 nc a 4,5 v. El producto está disponible en el canal [Tipo de canal]. Su longitud exacta es de 5 mm. Contiene 8 pines. El producto lleva el modo de canal de mejora. El producto está disponible en configuración de montaje en superficie. Proporciona una disipación de potencia máxima de hasta 2 w. El producto hexfet es una opción muy preferida por los usuarios. Cuenta con un voltaje de fuente de puerta máximo de -12 v, +12 v. Además, la altura es de 1,5 mm. Considerando que, la temperatura mínima de funcionamiento del producto es de -55 °c. Su voltaje de diodo directo es de 1.3v. Proporciona una resistencia máxima de fuente de drenaje de hasta 50 mω.