FIGBT

FIGBT

F.A IGBT

Los transistores de unión de gate bipolar (IGBT) son dispositivos semiconductores que se utilizan ampliamente en aplicaciones de potencia debido a su alta eficiencia, bajo consumo de energía y capacidad para manejar grandes corrientes.

Los IGBT se basan en la tecnología de transistores de unión bipolar (BJT), pero con una estructura adicional que permite un control más preciso del flujo de corriente. Esta estructura incluye un transistor MOSFET como puerta, lo que les da su nombre "IGBT" (Insulated Gate Bipolar Transistor).

  • Alta eficiencia
  • Bajo consumo de energía
  • Capacidad para manejar grandes corrientes

Products Related