CM100TXP-24T Mitsubishi

CM100TXP-24T Mitsubishi

Caractéristiques techniques IGBT

Le transistor IGBT présente les caractéristiques suivantes :

Tension

  • Tension du collecteur-émetteur saturée : 1,55 à 1,95 V
  • Tension de la porte-émetteur : -20 à 20 V

Courant

  • Courant du collecteur continu : 100 A
  • Courant de fuite de la porte-émetteur : 0,5 µA

Température

Température de jonction : 175 degrés Celsius


Produits Parmi les autres